在谱处理过程中BGO探测器选择光电峰和第一逃逸峰的和作为特征能窗,而NaI(Tl)探测器以光电峰和第一、第二逃逸峰的和作为特征能窗。
互联网摘选
Several types of macro-defects existed in the BGO crystal grown by the Bridgman method.
下降法生长的BGO晶体中存在几种典型的 宏观 缺陷.
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研制了6×6锗酸铋晶体阵列式探测器,作为高分辨全吸收电磁量能器模型。
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在谱处理过程中BGO探测器选择光电峰和第一逃逸峰的和作为特征能窗,而NaI(Tl)探测器以光电峰和第一、第二逃逸峰的和作为特征能窗。
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Several types of macro-defects existed in the BGO crystal grown by the Bridgman method.
下降法生长的BGO晶体中存在几种典型的 宏观 缺陷.
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研制了6×6锗酸铋晶体阵列式探测器,作为高分辨全吸收电磁量能器模型。
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