1、
2、
EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度
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3、
Determination of minority carrier diffusion length by EBIC for InSb multi-element arrays
用EBIC测量InSb多元探测器少子扩散长度
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4、
Diffuse length of few carrier running electron for determining GaP LPE sample flat by use of EBIC
利用EBIC测定GaP LPE样片的少子扩散长度
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5、
已成功地用于半导体的低温阴极荧光与束感生电流的测量。
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6、
EBIC结果显示铸造多晶硅中晶界和位错的复合特性与晶锭的凝固位置有关。
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7、
该算法在拥塞避免阶段采用了BIC算法的二分搜索增长机制。并结合了链路延迟和排队延迟来对拥塞窗口进行调整。
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