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Then, GOI test methodology is extended to reliability evaluation of DRAM capacitor.
同时, 我们将GOI的 测试方法进一步推广,用于动态存储器电容可靠性评估.
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GOI法蓝宝石单晶生长温场优化设计与模拟分析
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结果表明，在GOI法蓝宝石晶体生长中，合适的降温控制程序有利于提高晶体生长质量，晶体生长速率会随着加热温度的降低而快速增加。
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油包裹体丰度是确定古油藏的重要参数，统计结果受多种因素影响。
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大直径硅单晶、硅片中的最重要的缺陷之一是VOID，它会严重影响硅器件、集成电路的生产成品率和性能稳定性。
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