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Measurement of BCCD Channel Potential by Means of High Frequency C-V Method
高频C-V方法测量埋沟电荷耦合器件的沟道电势
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Performance Analysis of Low Light Level Image Sensors: BCCD, ICCD, EBCCD
用于微光成像的BCCD，ICCD，EBCCD性能分析
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本研究结果为制造可在近红外光区实现多光谱成像的BCCD器件提供了重要的理论依据。
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结果表明，锗制的三沟道BCCD不能在近红外光区实现多光谱成像。
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通过理论分析，找出了能保证BCCD在X光区工作的衬底材料所应满足的吸收曲线。
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