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The structure of a vertical multiple-gate MOSFET based on bipolar technology is presented.
提出了一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构和工艺。
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通过对计算数据的分析，指出了进一步提高效率的关键在于输出相同功率时降低功率管的电流峰值和有效值，减小绕组和MOSFET的导通电阻。
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The source of differential mode interferences is the current switched by a MOSFET or a diode.
差模干扰来源于场效应晶体管或二极管对电流的开关.
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If the current need not special accurate, one of the mosfet can also use triode.
如果电流不需要特别精确, 其中的场效应管也可以用三极管代替.
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高级峰值检测器自动以切断功率管输出和线性电流保证电池能被100%充满而不会导致过冲.
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和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能（如改善的沟道效应（SCE），理想的漏诱生势垒降低效应（DIBL）和亚阈值特性）和更大的驱动电流等。
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