Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟
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方法:Waters717型高效液相色谱仪,Waters2996二极管阵列检测器,低压四元泵,自动进样器;
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提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布 ( minority -carrierlifetim elateralnon - u-niform distribution, MLD ) 结构.
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半导体发光二极管(Light Emitting diode,LED)是二十一世纪最具发展前途的一种新型绿色固体光源。
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利用红外发光二极管作为闪光源,获得了合适的光强和0.5~1微秒的短余辉。
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The origin of � � UF of automobile silicon rectifier diode is introduced here.
介绍汽车硅整流二极管△UF的 由来,详细阐述实验中影响△UF值的各项因素及降低△UF的方法.
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The diode is photosensitive, so it should be enclosed with R1 in a light-tight electrostatic shield.
该二极管是感光性的,因此应与R1一起被安装在一个不透光的静电屏蔽套内。
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采用内腔倍频方案,以Cr4+:YAG为可饱和吸收体,进行了准连续LD泵浦被动调QNd:YAG/KTP绿光激光器的实验研究。
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Intensity noise squeezing of laser diode with inphase external weak feedback by half wave plate
通过λ/2波片外腔同位相弱反馈实现激光二极管激光的强度噪声压缩
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One of key problems is lasers cooling in researching high power semiconductor diode lasers.
大功率半导体激光器研制的关键问题之一就是散热冷却技术.
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随着发光二极管(LED)发光强度和发光效率的提高,发光二极管(LED)应用领域逐渐扩展到照明和显示等应用领域。
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This thesis mainly discusses the millimeter-wave fin-line PIN diode SPDT.
本课题主要研究的是毫米波鳍线PIN管单刀双掷开关.
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是专业生产LED发光二极管电子产品的高科技企业。
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方法: 采用二极管检波技术,实现辐射场峰值功率密度的测量和监测.
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实验中采用俘精酸酐类光致变色材料作为记录层,使用不同的激光功率和写入时间的组合,由大、中、小3种幅值和零功率写入实现了4阶存储。
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准连续量子阱激光器结合调制吸收光谱技术具有对带状吸收特性气体检测的独特优势。
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提出了临界工作电压的概念,并获得了等离子体密度在1011至1013cm-3范围内变化、负载为强流电子束二极管时临界工作电压与等离子体密度的定标关系。
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