1、

For the grooved gate PMOSFET, the study results prove that with the increase of channel doping density, the threshold voltage increases, the drain current driving ability decreases, and the hot carrier effect is suppressed, as in the planar device.

研究发现,随着沟道掺杂浓度的提高,与平面器件相同,槽栅器件的阈值电压提高,漏极驱动能力降低,抗热载流子效应增强;

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2、

Influence of Doping Density on Hot-carrier-effect in Grooved Gate PMOSFET

杂质浓度对槽栅PMOSFET抗热载流子特性的影响

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3、

Results of the numerical simulation show that the pressure distribution and stress field of grooved bearing bush are significantly differ from these of the journal bearing with smooth surfaces.

轴承表面油槽中的油在油润滑时能防止轴承表面的胶合失效,而且这种轴承衬表面的应力分布与光滑表面轴承的应力分布也有显著不同。

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4、

Three dimensional FE simulation of ball spinning of inner grooved copper tubes

两端带阴螺纹管接的直通旋塞内螺纹铜管滚珠旋压三维有限元模拟

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5、

A Mathematical Model for the Changeable Angle of a Grooved Face in a Spiral Case ′ Sectionalization

水轮机蜗壳分节环形变角度焊接坡口面的数学模型

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