利用聚焦离子束刻蚀的方法在SOI(Silicon on Insulator)基片上制备了W3型二维光子晶体直波导。
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他是亚美制造商协会(Asian American Manufacturers Association)的前任主席并担任由该协会主办在硅谷举行的几届关于亚洲金融和联盟研讨会的主席。
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为了进一步发展和开发利用高温气冷堆,用碳化锆镀层替代碳化硅镀层制备新型的包覆燃料颗粒。
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结果显示,ZnG与红细胞共孵后能抑制石英的溶血作用,且存在剂量反应关系,这说明ZnG具有保护细胞膜的作用。
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The structure and electrical properties of silicon film after ZMR are studied.
对区熔后的硅膜结构和电学性质进行了研究。
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研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想,晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽;
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提出了一种简化的区熔再结晶方法,利用这种方法在非硅衬底获得了晶粒尺寸达到毫米级、致密的籽晶层。
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Silicon grating foil used to analyze the image transfer function in XUV radiography system
XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜
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分析结果表明,共晶结晶时硅之所以成为先析出相,铝硅合金之所以存在伪共晶,都有其热力学原因。
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细胞壁膨胀率随着增重率的增加而增大,并且有两个明显不同的增大过程。
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Comparison of WKB Method and Transfer Matrix Method Used in Silicon Field Emission
硅场发射的WKB法和转移矩阵法比较
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比如最近就有个私有企业投资了一个叫SANTA ROW的项目在硅谷和OAKLAND市中心,这个项目是我所在的VBN公司设计的。
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研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶。
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The author states that magnetic sensitivity of the UJT is higher than other silicon magnetic sensor.
实验结果说明,UJT这种磁敏特性远优于其它硅磁敏器件。
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硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术是一种应用于高密度三维封装中的新兴互连技术。
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针对某厂硅铁、结晶硅冶炼炉的烟气治理,使用自行研制的SCX-Ⅲ型湿式脱硫除尘装置,运行效果平稳。
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3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜。
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采用有限元方法,通过构建光和电结合模拟方法,对一种双硅层的MOS电容电极MZM的静态和动态性能进行了理论研究。
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多晶硅用直拉法(CZ)或磁场直拉法(MCZ)拉制成单晶硅棒。
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