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High quality GaN film was grown by hydride vapor phase epitaxy ( HVPE ) using porous AAO as mask.
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜.
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The key factors affecting the ordered array of AAO template were studied.
研究了影响多孔氧化铝模板孔有序性(分布均匀,大小一致)的关键性因素.
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The patterned anodic aluminum oxide ( AAO ) template was fabricated by UV photolithography.
采用紫外光刻法制得图案化的阳极 氧化铝 模板.
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采用了超声的方法来切短露头于AAO范本的纳米碳管,增加纳米碳管膜的定向性.
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Metal aluminum films were deposited on AAO templates by radio frequency magnetron sputtering.
用射频磁控溅射法在阳极氧化铝模板表面制备了金属铝膜.
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The CoFe 2 O 4 nanowire arrays have been prepared in AAO templates by sol-gel method.
用多孔氧化铝膜为模板,采用溶胶 - 凝胶法制备了钴铁氧体的纳米线阵列.
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用恒电位电化学沉积法,尝试在氧化铝模板纳米孔内制备超长铜纳米线.
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Anodic aluminum oxide ( AAO ) was fabricated on aluminum in acid electrolytes at constant voltage.
直流恒压条件下,酸性溶液中铝的阳极氧化会形成多孔阳极氧化铝(AAO ).
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在酸性电解液中, 用阳极氧化法制备了多孔阳极 氧化铝 模板.
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分析了阴阳极间距、制备电压 以及 草酸溶液浓度对制备AAO模板的影响.
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AAO法充分利用了硝化反硝化的原理, 使氨氮得到较为彻底的降解.
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本文综述了AAO的结构模型 、 制备方法 、 形成机理及其应用热点.
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本工作研究了离子束辅助下在氧化铝模板中大面积制备纳米点阵列的方法.
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