1、
High quality GaN film was grown by hydride vapor phase epitaxy ( HVPE ) using porous AAO as mask.
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜.
互联网摘选
2、
3、
The environmental morals have their intension, the epitaxy and main content.
环境道德有其内涵 、 外延和主要内容.
互联网摘选
4、
介绍了气相中晶体生长的方法,如辉光放电溅射法和离子束溅射沉积法以及晶体外延生长的方法.
互联网摘选
5、
Impurity doped during epitaxy will diffuse in the epitaxial layer and even into the substrate.
在半导体器件制造的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.
互联网摘选
6、
利用激光分子束外延(LMBE ) 方法在Si ( 100 ) 基片上直接生长BaTiO3 ( BTO ) 铁电薄膜.
互联网摘选
7、
分子束外延（MBE）能够实现原子量级浮动和化学成分突变的异质界面。
互联网摘选
8、
采用分子束外延技术（MBE）在MgO（001）基板上沉积了氧化铬薄膜，并利用x射线衍射（XRD）和x射线反射谱（XRR）对薄膜的晶体结构进行了表征。
互联网摘选
