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Recent advances in heteroepitaxial growth of high quality GaN films by MOCVD and HVPE is reviewed.
介绍了采用MOCVD或HVPE技术高质量异质外延生长GaN薄膜的发展状况.
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由金属有机气相沈积法(MOCVD)在载体孔内沈积钯膜有助于防止氢的脆化作用.
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3、
Metal Organic Chemical Vapor Deposition ( MOCVD ) is a key technology in growing thin-films.
金属有机化学气相沉积 ( OCVD ) 一门制备薄膜材料的关键技术.
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A brief introduction to CBE comparing with MBE and MOCVD is presented in this paper.
本文主要通过与MBE和MOCVD的对比,对CBE作了简单的介绍.
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5、
对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究，并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响。
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