中精伦为数据存储和半导体行业提供高纯钽靶,产品纯度在99.95%-99.995%.
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For binary target, it is shown that the preferential sputtering is independent of atomic radius.
在双元靶严格解的基础上, 证明了泽优溅射与原子的半径大小无关.
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研究了离子束溅射制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程.
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Suddenly, the car started chugging and sputtering until finally the engine quit altogether.
忽然, 车子先是发出嘎嚓声,然后又是劈啪声,终于发动机彻底歇工了.
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方法: 用电子束蒸发和射频磁控溅射两种技术制备了天然HA薄膜.
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利用微波ECR等离子体增强磁控溅射沉积技术在玻璃表面制备了硅膜.
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Ion sputtering yields on T ? Ti target are numerically calculated with TRIM program.
应用trim程序模拟了离子在氚钛靶上的溅射产额.
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第五章研究了直流磁控溅射制备Sb掺杂 TiO2的成膜特点.
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目前,钨和钨合金由于良好的热传导性,高熔点,低溅射率等优良特性被普遍认为是最有希望成为国际热核聚变实验堆(ITER)等离子体面壁材料的候选材料之一。
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利用低频反应磁控溅射制备五氧化二铌光学薄膜.
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用磁控溅射低温沉积镀膜技术制做锰铜薄膜,能够保持薄膜中锰、铜、镍成份的相对稳定和锰铜合金正六面三元固溶体金相结构的特性.
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溅射过程中,首先制备纯二氧化铈靶材,然后在不同的功率上调节不同的基片温度进行溅射。
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预计利用磁控溅射超细合金材料涂层技术的新一代轴瓦会有十分广阔的应用前景。
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弧光灯在头顶上方闪烁。更高处,写字楼的窗子里透出光明。一阵阵寒风像鞭子一样抽打着行人。
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在Corning1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Al).薄膜沉积在衬底温度250℃、溅射功率100W和纯氩气氛中进行。
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