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1、
The structure and electrical properties of silicon film after ZMR are studied.
对区熔后的硅膜结构和电学性质进行了研究。
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2、
研究了区熔再结晶 ( ZMR ) 设备及其工艺特点.
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3、
研究了区熔再结晶（ZMR）设备及其工艺特点。
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4、
为了改善硅带衬底的质量，引入区熔再结晶的方法，期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高，进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量。
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5、
提出了一种简化的区熔再结晶方法，利用这种方法在非硅衬底获得了晶粒尺寸达到毫米级、致密的籽晶层。
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6、
7、
8、
研究结果表明：ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想，晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽；
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