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将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n&n+异质结功率二极管,并对n-区的杂质分布梯度进行了优化。
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Study on the Al/ Ag doping functional gradient thin films deposited by pulsed excimer laser
脉冲激光沉积Al/Ag掺杂功能梯度薄膜
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但是,随着掺杂浓度梯度的升高与介质片厚的降低,介质的增益水平将由于ASE效应降低。
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Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟
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常用的施主加入物是Y3+和Nb5+,施主掺入量一般控制在x=0.2%~0.3%为宜。影响施主掺入量的因素有原料纯度、烧结助剂、掺入施主的工艺等。
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研究了施主掺杂量,烧成后的冷却条件、氧化温度对SrTiO3半导化的影响。
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高施主掺杂BaTiO3陶瓷中施、受主杂质相互作用的一种异常现象
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Effect of Liquid-phase Donor Doping and High Calcium Adding on Performance of PTC Material
液相施主及高钙添加对PTC材料性能的影响
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Research on Semiconductor Ceramic Materials: Double Donor Doping BaTiO_3
双施主掺杂BaTiO3半导体陶瓷材料的研究
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采用液相施主掺杂和添加钙等方法优化配方制成PTCR材料。
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借助XRD、SEM和自制放氢量的测试装置研究了掺杂对氢化燃烧合成镁镍储氢合金性能的影响。
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以钛酸四丁酯为钛源,碳酸铵为掺杂剂,采用溶胶-凝胶法制备了含氮的二氧化钛光催化剂。
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讨论了氧化剂与苯胺的初始摩尔比、苯胺单体浓度、掺杂酸浓度、反应温度及反应时间对纤维导电性能的影响。
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说明磷酸作为掺杂剂,界面法制备出的聚苯胺更适宜用作电极材料。
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以苯胺为主要原料,盐酸作掺杂剂,采用化学氧化法制备出导电聚苯胺。
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采用盐酸作为掺杂剂和反应介质,通过界面聚合制备纳米结构的聚苯胺。
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Concentration effect of oxidant and doping agent on structure and properties of polyaniline
反应物中氧化剂和掺杂剂浓度对聚苯胺性能与结构的影响
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