1、
High quality GaN film was grown by hydride vapor phase epitaxy ( HVPE ) using porous AAO as mask.
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜.
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2、
利用氢化物发生 - 原子荧光光谱法 ( HG -AFS ) 测定浆层纸中的铅含量.
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